We need your consent to use the individual data so that you can see information about your interests, among other things. Click "OK" to give your consent.
DIN is a protected designation of German national technical standards.
VDE 0884-5/A1. Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-5: Optoelectronic devices - Photocouplers.
(VDE 0884-5/A1. Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente - Optokoppler.)
WITHDRAWN published on 1.12.2011
Selected format:
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-6: Optoelectronic devices - Light emitting diodes.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-6: Optoelektronische Bauelemente - Lichtemittierende Dioden.)
WITHDRAWN published on 1.12.2011
Selected format:
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-7: Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente - Photodioden und Phototransistoren.)
WITHDRAWN published on 1.12.2011
Selected format:
Semiconductor devices; discrete devices and integrated circuits; optoelectronic devices; identical with IEC 60747-5:1984.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente und Integrierte Schaltungen - Optoelektronische Halbleiterbauelemente.)
WITHDRAWN published on 1.12.1988
Selected format:
VDE 0884. Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Part 5: Optoelectronic devices.
(VDE 0884. Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 5: Optoelektronische Bauelemente.)
WITHDRAWN published on 1.10.1996
Selected format:
Semiconductor devices - Part 6: Thyristors; Section two: Blank detail specification for bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A; Identical with IEC 60747-6-2:1991.
(Halbleiterbauelemente - Teil 6: Thyristoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für Zweirichtungs-Thyristortrioden (Triacs), umgebungs- oder gehäusetemperaturbezogen bis 100 A.)
WITHDRAWN published on 1.5.1992
Selected format:
Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Thyristors; Identical with CEI 747-6, edition 1983.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente und Integrierte Schaltungen.)
WITHDRAWN published on 1.6.1987
Selected format:
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 6: Thyristoren.)
WITHDRAWN published on 1.1.2013
Selected format:
Semiconductor devices - Part 7: Bipolar transistors; Section one: Blank detail specification for low power amplification transistors; Identical with IEC 60747-7-1:1989.
(Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 1: Vordruck für Bauartspezifikationen für Kleinleistungs-Verstärker-Transistoren.)
WITHDRAWN published on 1.5.1992
Selected format:
Semiconductor devices - Part 7: Bipolar transistors; Section two: Blank detail specification for case-rated transistors for low-frequency amplification; Identical with IEC 60747-7-2:1989.
(Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für gehäusebezogene Transistoren für NF-Verstärkeranwendungen.)
WITHDRAWN published on 1.5.1992
Selected format:Latest update: 2026-04-24 (Number of items: 2 274 650)
© Copyright 2026 NORMSERVIS s.r.o.