Standards DIN - German national standards - Page 16561

Semiconductor devices - Discrete devices and integrated circuits - Thyristors; Identical with CEI 747-6, edition 1983.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente und Integrierte Schaltungen.)

WITHDRAWN published on 1.6.1987

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 6: Thyristoren.)

WITHDRAWN published on 1.1.2013

Semiconductor devices - Part 7: Bipolar transistors; Section one: Blank detail specification for low power amplification transistors; Identical with IEC 60747-7-1:1989.
(Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 1: Vordruck für Bauartspezifikationen für Kleinleistungs-Verstärker-Transistoren.)

WITHDRAWN published on 1.5.1992

Semiconductor devices - Part 7: Bipolar transistors; Section two: Blank detail specification for case-rated transistors for low-frequency amplification; Identical with IEC 60747-7-2:1989.
(Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolare Transistoren; Hauptabschnitt 2: Vordruck für Bauartspezifikationen für gehäusebezogene Transistoren für NF-Verstärkeranwendungen.)

WITHDRAWN published on 1.5.1992

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors (BTRs) for power switching applications.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 7-5: Bipolare Transistoren für Leistungsschaltanwendungen.)

WITHDRAWN published on 1.5.2003

Semiconductor discrete devices and integrated circuits - Part 7: Bipolar transistors.
(Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Teil 7: Bipolartransistoren.)

WITHDRAWN published on 1.12.1997

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors (BTRs).
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolartransistoren.)

WITHDRAWN published on 1.9.2007

Semiconductor devices - Field-effect transistors; Section one: Blank detail specification for single-gate field-effect tramsistors up to 5 W and 1 GHz; Identical with IEC 60747-8-1:1987.
(Halbleiterbauelemente - Feldeffekttransistoren; Hauptabschnitt 1: Vordruck für Bauartspezifikationen für Feldeffekttransistoren mit einer Gate-Elektrode bis 5 W und 1 GHz.)

WITHDRAWN published on 1.7.1991

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8-12: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applications.
(Halbleiterbauelemente - Einzelbauelemente - Teil 8-12: Metalloxidschicht-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschalteranwendungen.)

WITHDRAWN published on 1.12.2001

Semiconductor devices - Discrete devices - Field-effect transistors; Identical with IEC 60747-8:1984.
(Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Feldeffekttransistoren.)

WITHDRAWN published on 1.8.1989