Cookies
We need your consent to use the individual data so that you can see information about your interests, among other things. Click "OK" to give your consent.
ČSN EN IEC 63373 (358766)
Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices
Translate name
STANDARD published on 1.10.2022
The information about the standard:
Designation standards: ČSN EN IEC 63373
Classification mark: 358766
Catalog number: 514958
Publication date standards: 1.10.2022
SKU: NS-1085186
The number of pages: 24
Approximate weight : 72 g (0.16 lbs)
Country: Czech technical standard
Category: Technical standards ČSN
The category - similar standards:
Annotation of standard text ČSN EN IEC 63373 (358766):
Obecně je zkoušení dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu měřítkem jevů zachycování náboje ve výkonových tranzistorech GaN. Tato norma poskytuje návod pro zkoušení dynamického odporu v sepnutém stavu laterálních výkonových tranzistorů GaN. Zkušební metody lze použít pro následující případy: a) diskrétní výkonové součástky GaN v obohaceném a ochuzeném režimu [3]; b) GaN v integrovaných výkonových řešeních; c) výše uvedené na úrovni desky nebo pouzdra. Předepsané zkušební metody lze použít pro stanovení charakteristik součástek, výrobní zkoušky, hodnocení spolehlivosti a posouzení aplikací GaN součástek pro výkonové měniče. Tato norma se nezabývá příslušnými mechanismy dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu a jeho symbolické reprezentace pro specifikace výrobků
Preview of the standard ČSN EN IEC 63373 (358766)
We recommend:
Updating of laws
Do you want to be sure about the validity of used regulations?
We offer you a solution so that you could use valid and updated legislative regulations.
Would you like to get more information? Look at this page.
